- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HXY3N10AI
HXY3N10AI دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HXY3N10AI |
|---|---|
| حجم فایل | 63.174 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 6 |
دانلود دیتاشیت HXY3N10AI |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: HXY MOSFET HXY3N10AI
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 508pF@15V
- Continuous Drain Current (Id): 3A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 310mΩ@10V,1A
- Package: SOT-23(TO-236)
- Manufacturer: HXY MOSFET